Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Fall Time: 3.6 ns, 18 ns
Rise Time: 3 ns, 7.8 ns
Technology: Si
Unit Weight: 8 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Qg - Gate Charge: 3.6 nC, 5.9 nC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel, P-Channel
Pd - Power Dissipation: 1.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V
Typical Turn-On Delay Time: 2.6 ns, 3.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 12.5 ns, 31 ns
Id - Continuous Drain Current: 4.6 A, 3.2 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 35 mOhms, 74 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 400 mV, 1 V
