Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 336 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 350 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 10 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 10 ns
Id - Continuous Drain Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Forward Transconductance - Min: 100 mS
Rds On - Drain-Source Resistance: 5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 800 mV
