MOSFET kênh N 20V 950mA SOT-363-6 Infineon BSD235NH6327XTSA1
Hãng sản xuất: Infineon Model: BSD235NH6327XTSA1 - Liên hệ
Tham khảo dịch vụ Hiệu chuẩn-Kiểm định và Sửa chữa
Gọi để có giá tốt
TP. Hà Nội: (024) 35.381.269
TP. Đà Nẵng: (023) 63.747.711
TP. Bắc Ninh: (0222) 730.39.68
TP. Hải Phòng: (0225) 730.03.89
TP. HCM: (028) 38.119.636
Đồng Nai: 0932.160.940
Width: 1.25 mm
Height: 0.9 mm
Length: 2 mm
Fall Time: 1.2 ns, 1.2 ns
Rise Time: 3.6 ns, 3.6 ns
Technology: Si
Unit Weight: 7.500 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Qualification: AEC-Q100
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 2 N-Channel
Qg - Gate Charge: 320 mC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V
Typical Turn-On Delay Time: 3.8 ns, 3.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 4.5 ns, 4.5 ns
Id - Continuous Drain Current: 950 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 2 S, 2 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 266 mOhms, 415 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 950 mV
- Cam kết chất lượng
- Bảo hành chính hãng
- Giao hàng tận nơi
- Đơn giản hóa giao dịch
