For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 Infineon IGP30N65F5XKSA1

Technology: Si

Unit Weight: 2.030 g

Configuration: Single

Mounting Style: Through Hole

Pd - Power Dissipation: 188 W

Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA

Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V

Maximum Operating Temperature: + 175 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V

Continuous Collector Current Ic Max: 35 A

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.9 V

Continuous Collector Current at 25 C: 55 A

  • Cam kết chất lượng
  • Bảo hành chính hãng
  • Giao hàng tận nơi
  • Đơn giản hóa giao dịch

Đăng ký nhận bản tin - cơ hội nhận khuyến mãi