Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 5.03 mm
Height: 20.88 mm
Length: 19.91 mm
Fall Time: 60 ns
Rise Time: 60 ns
Technology: Si
Unit Weight: 6.500 g
Channel Mode: Enhancement
REACH - SVHC: Details
Mounting Style: Through Hole
Qg - Gate Charge: 180 nC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 20 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 80 ns
Id - Continuous Drain Current: 75 A
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 25 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
