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GSI Technology GS81302T37E-400 SigmaDDR-II+ B2

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Microchip Technology 24LC02BT-E/MS EEPROM 256x8 - 1.8V

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ISSI IS43QR85120B-075UBL-TR DRAM 4G、1.2V、DDR4、512Mx8、2666MT/s a. 16-16-16、78ボールBGA（10mm x14mm）RoHS、T&R

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ISSI IS61C25616AL-10KLI-TR 非同期4Mb、高速、非同期、256K x 16、10ns、5V、44ピンSOJ（400ミル）、RoHS

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Microchip Technology AT24C512C-SHM-B EEPROM 1.7-5.5V、1MHz、産業用温度、8-SOIC-W

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Microchip Technology 24LC044-E/MS EEPROM 4K、512 X 8 2.5V シリアル EE、ADDR ピン、EXT

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GSI Technology GS841Z18CGT-250I NBT パイプライン/フロースルー 2.5 または 3.3V 256K x 18 4M

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ROHM Semiconductor BR93G86F-3BGTE2 EEPROM マイクロワイヤバス 16Kbit(1024x16bit)

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GSI Technology GS81280Z36GT-333IV NBT パイプライン/フロースルー 1.8/2.5V 4M x 36 144M

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SkyHigh Memory S34ML04G100TFI9C0 NANDフラッシュ

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Infineon S29GL01GS12DHIV20 NORフラッシュ 1G 3V 120ns パラレル

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GSI Technology GS881Z18CGD-200V NBT 1.8/2.5V 512K x 18 9M

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GigaDevice GD25LD80ESIGR NORフラッシュ

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GigaDevice GD25Q80ESJGR NORフラッシュ

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SanDisk SDINFDO4-256G ユニバーサルフラッシュストレージ (UFS) UFS3.1 ギア4/2レーンインターフェース

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GSI Technology GS81302TT10GE-400 SigmaDDR-II+ B2

GSI Technology GS81302TT10GE-400 SigmaDDR-II+ B2

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