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Renesas Electronics 71V3557S85PFGI8 同期式 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT

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GSI Technology GS8662D36BD-300 SigmaQuad-II 1.8 または 1.5V 2M x 36 72M

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ISSI IS61DDP2B21M36A-400M3L SRAM 36Mb、DDR IIP（バースト2）、CIO、同期、1M x 36、2.0リードレイテンシ、165ボールFBGA（15x17 mm）、RoHS

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Zentel A3S12D40GTP-50 SDRAM - DDR DDR1 512Mb、32Mx16、200MHz a.CL3、2.5V、TSOPII-66

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GSI Technology GS816218DB-333V パイプライン/フロースルー 1.8/2.5V 1M x 18 18M

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ABLIC S-24C02CI-T8T1U EEPROM 2KB I2C 2ワイヤ

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GSI Technology GS8662Q38CGD-450 シグマクアッド-II+ B2

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GSI Technology GS88236CGB-333 パイプライン/フロースルー 2.5 または 3.3V 256K x 36 9M

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Micron MT62F1G64D4ZX-020 WT:F SDRAM モバイル - LPDDR5 LPDDR5 64Gbit 64 496/756 UFBGA 4 WT

Micron MT62F1G64D4ZX-020 WT:F SDRAM モバイル - LPDDR5 LPDDR5 64Gbit 64 496/756 UFBGA 4 WT

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GSI Technology GS81282Z18GD-250V NBT パイプライン/フロースルー 1.8/2.5V 8M x 18 144M

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Infineon S25FL256SAGBHBA03 NORフラッシュ STD SPI

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GSI Technology GS81302T10GE-350 SigmaDDR-II+ B2

GSI Technology GS81302T10GE-350 SigmaDDR-II+ B2

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GSI Technology GS8161E36DD-200IV DCD パイプライン/フロースルー 1.8/2.5V 512K x 36 18M

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GSI Technology GS81302T19AGD-333I SigmaDDR-II+ B2

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ISSI IS43DR16160B-3DBLI-TR SDRAM - DDR2 256M、1.8V、DDR2、16Mx16、333MHz a. CL5、84ボールBGA（8mm×12.5mm）RoHS、IT、T&R

ISSI IS43DR16160B-3DBLI-TR SDRAM - DDR2 256M、1.8V、DDR2、16Mx16、333MHz a. CL5、84ボールBGA（8mm×12.5mm）RoHS、IT、T&R

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Infineon CY7C1041G18-15BVXIT SRAM Async S

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