Bourns BIDD05N60T IGBTトランジスタ IGBTディスクリート 600V、5A TO-252パッケージ
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ModelBIDD05N60T
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Moisture Sensitive: Yes
Pd - Power Dissipation: 82 W
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 30 V, 30 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Continuous Collector Current Ic Max: 10 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
Continuous Collector Current at 25 C: 10 A
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