Bourns TISP8201MDR-S デュアル極性SLIC過電圧保護プロテクター - バッファードNゲートプログラム保護
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ModelTISP8201MDR-S
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Width: 4 mm
Height: 1.55 mm
Length: 5 mm
Unit Weight: 80 mg
Current Rating: 50 uA
Mounting Style: SMD/SMT
Breakover Voltage VBO: 82 V
Holding Current Ih Max: 20 mA
Off-State Capacitance CO: 35 pF
Breakover Current IBO Max: 11 A
Gate Trigger Current - Igt: 5 mA
Maximum Operating Temperature: + 85 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Non Repetitive On-State Current: 11 A
Maximum Gate Peak Inverse Voltage: 120 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 5 uA
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: 120 V
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