Central Semiconductor 2N5308 TRA TIN/LEAD ダーリントントランジスタ NPN 40Vcbo 40Vceo 12Vebo 300mA 625mW
Model2N5308 TRA TIN/LEAD
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Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 1.5 W
Gain Bandwidth Product fT: 60 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 12 V
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Continuous Collector Current: 300 mA
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 7000 at 5 V, 2 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
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