お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
認定専門家へ直接アクセス
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: 3 V
Maximum Drain Gate Voltage: 40 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 30 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 100 Ohms
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 40 V
