Central Semiconductor PN5132 TIN/LEAD BJTs - バイポーラトランジスタ NPN 20Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 10mA 3.5pF
ModelPN5132 TIN/LEAD
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
DC Current Gain hFE Max: 400 at 10 V, 10 mA
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 3 V
Collector- Base Voltage VCBO: 20 V
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30 at 10 V, 10 mA
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2 V
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