CML Micro MWT-PH8F RFパワーMOSFET 狭帯域および広帯域高効率アンプ、高出力アンプ、および発振器用途
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ModelMWT-PH8F
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Gain: 11 dB
Technology: GaAs
Unit Weight: 0.110 mg
Output Power: 30 dBm
Transistor Type: pHEMT
Operating Frequency: 18 GHz
Id - Continuous Drain Current: 250 mA to 300 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 8 V
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