Diodes Incorporated DCP69-25-13 BJTs - バイポーラトランジスタ 1W -20V
ModelDCP69-25-13
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Width: 3.5 mm
Height: 1.6 mm
Length: 6.5 mm
Technology: Si
Unit Weight: 112 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 1 W
DC Current Gain hFE Max: 50 at 5 mA, 10 V
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 25 V
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 50 at 5 mA, 10 V, 60 at 1 A, 1 V, 160 at 500 mA, 1 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 20 V
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