Diodes Incorporated DGTD120T25S1PT IGBTトランジスタ IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
ModelDGTD120T25S1PT
お問い合わせ
安全なチェックアウト
高品質な対応
簡単な交換・返品
配送対応可能
Technology: Si
Unit Weight: 5.600 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 348 W
Gate-Emitter Leakage Current: 250 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 50 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2 V
Continuous Collector Current at 25 C: 50 A
お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス