Diodes Incorporated DSS2540M-7B BJTs - バイポーラトランジスタ SS 低飽和トランジスタ X1-DFN1006-3,10K
ModelDSS2540M-7B
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 400 mW
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Continuous Collector Current: 500 mA
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 50 at 500 mA, 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
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