Diodes Incorporated DXT2907A-13 BJTs - バイポーラトランジスタ 1000mW -60Vceo
ModelDXT2907A-13
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Width: 2.48 mm
Height: 1.5 mm
Length: 4.5 mm
Technology: Si
Unit Weight: 52 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 1 W
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 50 at - 500 mA, - 10 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
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