Diodes Incorporated DXTN3C60PSQ-13 BJTs - バイポーラトランジスタ 60V NPN 中電力 低飽和トランジスタ
ModelDXTN3C60PSQ-13
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Technology: Si
Unit Weight: 97 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Moisture Sensitive: Yes
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 5 W
Gain Bandwidth Product fT: 140 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Continuous Collector Current: 3 A
Maximum DC Collector Current: 3 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 50
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 180 mV
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