Diodes Incorporated MJD32C-13 BJTs - バイポーラトランジスタ 100V 3A PNP SMT
ModelMJD32C-13
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Width: 6.2 mm
Height: 2.4 mm
Length: 6.8 mm
Technology: Si
Unit Weight: 330 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 2.1 W
Gain Bandwidth Product fT: 3 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Maximum DC Collector Current: 3 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.2 V
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