Diodes Incorporated ZXTP19060CGTA BJTs - バイポーラトランジスタ PNP 60V 5A
ModelZXTP19060CGTA
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Width: 3.7 mm
Height: 1.65 mm
Length: 6.7 mm
Technology: Si
Unit Weight: 112 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 5.3 W
DC Current Gain hFE Max: 200
Gain Bandwidth Product fT: 180 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200 at 100 mA, 2 V, 160 at 1 A, 2 V, 20 at 5 A, 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
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