Diotec Semiconductor DIW050F065 IGBTトランジスタ IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A, 0
ModelDIW050F065
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Technology: Si
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 350 W
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Continuous Collector Current Ic Max: 100 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.65 V
Continuous Collector Current at 25 C: 100 A
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