Fairchild BUT11AFTU BJTs - バイポーラトランジスタ NPN Si トランジスタ
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ModelBUT11AFTU
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Width: 4.7 mm
Height: 9.19 mm
Length: 10.16 mm
Technology: Si
Unit Weight: 2.270 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 40 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 9 V
Collector- Base Voltage VCBO: 1 kV
Continuous Collector Current: 5 A
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 450 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
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