Fairchild FGA50S110P IGBTトランジスタ 1100 V、50 A ショートアノードIGBT
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ModelFGA50S110P
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Technology: Si
Unit Weight: 6.401 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 300 W
Gate-Emitter Leakage Current: 500 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 25 V, 25 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.1 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.06 V
Continuous Collector Current at 25 C: 50 A
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