Vishay General Semiconductor VB20120C-E3/4W ショットキーダイオード 20アンペア 120ボルト デュアルトレンチMOS
ModelVB20120C-E3/4W
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Width: 9.14 mm
Height: 4.83 mm
Length: 10.45 mm
Technology: Si
Unit Weight: 1.380 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Dual Anode Common Cathode
Mounting Style: SMD/SMT
Termination Style: Through Hole
If - Forward Current: 20 A
Ir - Reverse Current: 700 uA
Vf - Forward Voltage: 900 mV
Ifsm - Forward Surge Current: 120 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: 120 V
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