GeneSiC GB05SLT12-252 ショットキシリコンカーバイドダイオード 1200V 1A SiC ショットキー整流器
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ModelGB05SLT12-252
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Technology: SiC
Unit Weight: 300 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
If - Forward Current: 5 A
Ir - Reverse Current: 26 uA
Vf - Forward Voltage: 1.5 V
Pd - Power Dissipation: 42 W
Ifsm - Forward Surge Current: 32 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: 1.2 kV
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