Infineon AIGB40N65F5ATMA1 IGBTトランジスタ ディスクリートスイッチ
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ModelAIGB40N65F5ATMA1
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Technology: Si
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 250 W
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
Continuous Collector Current at 25 C: 74 A
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