Infineon BC817K25WH6433XTMA1 BJTs - バイポーラトランジスタ NPN シリコン AF トランジスタ
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ModelBC817K25WH6433XTMA1
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Technology: Si
Unit Weight: 5 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 250 mW
DC Current Gain hFE Max: 400 at 100 mA, 1 V
Gain Bandwidth Product fT: 170 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Continuous Collector Current: 500 mA
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 160 at 100 mA, 1 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV
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