Infineon BSM50GP120 IGBTシリコンモジュール 1200V 50A PIM
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ModelBSM50GP120
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Width: 62 mm
Height: 17 mm
Length: 122 mm
Technology: Si
Unit Weight: 386.175 g
Configuration: Full Bridge
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 360 W
Gate-Emitter Leakage Current: 300 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C: 50 A
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