Infineon BSM75GD120DLC IGBTシリコンモジュール N-CH 1.2KV 125A
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ModelBSM75GD120DLC
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Width: 61.5 mm
Height: 17 mm
Length: 121.5 mm
Technology: Si
Unit Weight: 329.138 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Full Bridge
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 500 W
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.1 V
Continuous Collector Current at 25 C: 125 A
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