Infineon FP15R12W1T7B11BOMA1 IGBTシリコンモジュール EASY STANDARD
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ModelFP15R12W1T7B11BOMA1
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Technology: Si
Unit Weight: 24 g
Configuration: 3-Phase Inverter
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
Continuous Collector Current at 25 C: 15 A
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