Infineon FZ1000R33HL3 IGBTシリコンモジュール N-CH 3.3KV 1KA
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ModelFZ1000R33HL3
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Width: 130 mm
Height: 38 mm
Length: 140 mm
Technology: Si
Unit Weight: 1.193 kg
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 50 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 3.3 kV
Continuous Collector Current at 25 C: 1 kA
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