Infineon IKB20N60T IGBTトランジスタ LOW LOSS デュオパック 600V 20A
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ModelIKB20N60T
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Width: 9.45 mm
Height: 4.57 mm
Length: 10.31 mm
Technology: Si
Unit Weight: 2 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 166 W
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
Continuous Collector Current at 25 C: 41 A
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