Infineon AUIRG4PH50S IGBTトランジスタ 1200V DC-1 KHZ (STD) ディスクリートオートIGBT
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ModelAUIRG4PH50S
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Width: 5.31 mm
Height: 20.7 mm
Length: 15.87 mm
Technology: Si
Unit Weight: 38 g
Configuration: Single
Qualification: AEC-Q100
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 543 W
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.47 V
Continuous Collector Current at 25 C: 141 A
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