Infineon BCR 133 E6433 デジタルトランジスタ NPN シリコン デジタルトランジスタ
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ModelBCR 133 E6433
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Width: 1.3 mm
Height: 1 mm
Length: 2.9 mm
Unit Weight: 8 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Typical Input Resistor: 10 kOhms
Typical Resistor Ratio: 1
DC Current Gain hFE Max: 30
Peak DC Collector Current: 100 mA
Emitter- Base Voltage VEBO: 50 V
Maximum Operating Frequency: 130 MHz
Continuous Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
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