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Technology: Si
Unit Weight: 1.430 mg
Configuration: Single
Qualification: AEC-Q100
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: Bipolar
Operating Frequency: 3.5 GHz
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 210 mW
DC Current Gain hFE Max: 160
Gain Bandwidth Product fT: 14 GHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 2 V
Continuous Collector Current: 35 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 6 V
