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Width: 0.6 mm
Height: 0.45(Max) mm
Length: 1 mm
Technology: SiGe
Unit Weight: 0.500 mg
Configuration: Single
Transistor Type: Bipolar
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 160 mW
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
