Infineon DD1000S33HE3 IGBTシリコンモジュール IHM-B モジュール 3300V 1000A
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ModelDD1000S33HE3
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Technology: Si
Unit Weight: 800 g
Configuration: Dual
Pd - Power Dissipation: 1.6 MW
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 3.3 kV
Continuous Collector Current at 25 C: 1 kA
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