Infineon DF200R12PT4B6BOSA1 トランジスタ IGBT モジュール N-CH 1200V 300A 20V スクリューマウントトレイ
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ModelDF200R12PT4B6BOSA1
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IGBT Technology: IGBT 4 [Trench
IGBT Termination: Solder|Stud
Power Dissipation: 1.1
IGBT Configuration: Three Phase Ch
Transistor Mounting: Screw Mount
Transistor Case Style: EconoPACK
Operating Temperature Max: 150 °C
Continuous Collector Current: 300
Collector Emitter Voltage Max: 1.2
Collector Emitter Saturation Voltage: 1.75
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