Infineon ETD510N16P60HPSA1 サイリスタ / ダイオード THYR / DIODE モジュール DK
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ModelETD510N16P60HPSA1
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Technology: Si
Unit Weight: 830 g
Configuration: SCR/Diode Phase Control
Mounting Style: Screw Mount
Transistor Polarity: N-Channel
Vr - Reverse Voltage: 1.6 kV
Holding Current Ih Max: 300 mA
Gate Trigger Current - Igt: 250 mA
Maximum Operating Temperature: + 135 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 800 mV
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