Infineon F3L150R12W2H3B11BPSA1 トランジスタ IGBT モジュール N-CH 1.2kV 75A ±20V スクリュートレイ
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ModelF3L150R12W2H3B11BPSA1
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IGBT Technology: IGBT 3 High Sp
IGBT Termination: Press Fit
Power Dissipation: 500
IGBT Configuration: 3-Level
Transistor Mounting: Clamp Mount
Transistor Case Style: Module
Operating Temperature Max: 150 °C
Continuous Collector Current: 75
Collector Emitter Voltage Max: 1.2
Collector Emitter Saturation Voltage: 1.55
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