Infineon FD800R17KE3_B2 IGBTシリコンモジュール N-CH 1.7KV 1.2KA
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ModelFD800R17KE3_B2
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Width: 130 mm
Height: 38 mm
Length: 140 mm
Technology: Si
Configuration: Single Dual Collector Dual Emitter
Mounting Style: SMD/SMT
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV
Continuous Collector Current at 25 C: 1.2 kA
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