Infineon FF200R17KE3S4HOSA1 IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）
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ModelFF200R17KE3S4HOSA1
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IGBT Technology: IGBT 3 [Trench
IGBT Termination: Stud
Power Dissipation: 1.25
IGBT Configuration: Dual
Transistor Mounting: Screw Mount
Transistor Case Style: Module
Operating Temperature Max: 125 °C
Continuous Collector Current: 310
Collector Emitter Voltage Max: 1.7
Collector Emitter Saturation Voltage: 2
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