Infineon FF450R45T3E4B5BPSA1 IGBTモジュール 4500 V、450 A デュアルIGBTモジュール
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ModelFF450R45T3E4B5BPSA1
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Technology: Si
Configuration: Dual
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 1.5 MW
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 4.5 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.35 V
Continuous Collector Current at 25 C: 450 A
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