Infineon FF600R12IP4B60BPSA1 IGBTモジュール 1200 V、600 A デュアルIGBTモジュール
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ModelFF600R12IP4B60BPSA1
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Technology: Si
Configuration: Dual
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 20 mW
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.05 V
Continuous Collector Current at 25 C: 600 A
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