Infineon FP10R12W1T7B3BOMA1 トランジスタIGBTモジュール N-CH 1.2kV 10A ±20V スクリュートレイ
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ModelFP10R12W1T7B3BOMA1
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IGBT Technology: IGBT 7
IGBT Termination: Solder
IGBT Configuration: PIM Three Phas
Transistor Mounting: Clamp Mount
Transistor Case Style: Module
Operating Temperature Max: 175 °C
Continuous Collector Current: 10
Collector Emitter Voltage Max: 1.2
Collector Emitter Saturation Voltage: 1.6
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