Infineon FS75R06KE3BPSA1 IGBTシリコンモジュール 600 V、75 A シックスパックIGBTモジュール
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ModelFS75R06KE3BPSA1
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Technology: Si
Configuration: 6-Pack
Pd - Power Dissipation: 250 W
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.45 V
Continuous Collector Current at 25 C: 75 A
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