Infineon GS-065-030-2-L-TR GaN FETs 650V、30A、GaN Eモード、8x8 PDFN、底面冷却
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ModelGS-065-030-2-L-TR
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Technology: GaN-on-Si
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: E-Mode
Moisture Sensitive: Yes
Number of Channels: 1 Channel
Maximum Operating Frequency: > 1 MHz
Minimum Operating Frequency: 0 Hz
Id - Continuous Drain Current: 30 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 50 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
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