Infineon IDW75D65D1XKSA1 スイッチングダイオード IGBT製品
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ModelIDW75D65D1XKSA1
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Width: 5.31 mm
Height: 20.7 mm
Length: 15.87 mm
Unit Weight: 38 g
Configuration: Single
Recovery Time: 108 ns
Mounting Style: Through Hole
Max Surge Current: 580 A
If - Forward Current: 150 A
Ir - Reverse Current: 40 uA
Peak Reverse Voltage: 650 V
Vf - Forward Voltage: 1.35 V
Pd - Power Dissipation: 326 W
Maximum Diode Capacitance: 40 pF
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
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