Infineon IGT40R070D1E8220ATMA1 窒化ガリウムFET（GaN）
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ModelIGT40R070D1E8220ATMA1
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Transistor Mounting: Surface Mount
Typical Gate Charge: 4.5
Transistor Case Style: HSOF
Drain Source Voltage Vds: 400
Continuous Drain Current Id: 31
Drain Source On State Resistance: 70
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