Infineon IGW03N120H2 IGBTトランジスタ ハイスピード 2 TECH 1200V 3A
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ModelIGW03N120H2
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Width: 5.3 mm
Height: 20.95 mm
Length: 15.9 mm
Technology: Si
Unit Weight: 38 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 62.5 W
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 9.6 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.2 V
Continuous Collector Current at 25 C: 9.6 A
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